RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3302
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link