RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
44
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
37
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3529
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link