RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3736
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link