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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Inmos + 256MB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Inmos + 256MB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Punteggio complessivo
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 11.5
    Valore medio nei test
Inmos + 256MB Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 44
    Intorno -47% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    16800 left arrow 12800
    Intorno 1.31 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    44 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 11.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1977 left arrow 2318

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Inmos + 256MB Confronto tra le RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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