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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Motivi da considerare
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
44
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
35
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
2855
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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