RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
79
Intorno 44% latenza inferiore
Motivi da considerare
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
79
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
1710
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link