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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
1338
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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