RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3866
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link