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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
36
Velocità di lettura, GB/s
14.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2186
2247
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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