Confronto tra le RAM SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

32 42

Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.8 12.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.4 9.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 14900

Intorno 1.43 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2269 3579

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns