RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
65
Intorno -160% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
25
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
3023
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link