RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
23.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
23.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
4124
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link