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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
65
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
28
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
3546
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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