RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
65
Intorno -195% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
22
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
4014
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link