SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 65
    Intorno -110% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 1,711.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,018.7 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,711.1 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    513 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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