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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
66
Intorno -78% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
37
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3170
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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