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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
66
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
35
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
1998
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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