RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
66
Intorno -94% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
34
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3178
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link