RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
66
Intorno -83% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
36
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2971
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link