RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3950
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link