RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
66
Intorno -120% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
30
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3657
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link