RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
66
Intorno -65% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
40
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2965
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link