RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
66
Intorno -136% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
28
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3859
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link