RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
66
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
33
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3596
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link