RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
66
Intorno -65% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
40
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2362
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lenovo 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link