RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
66
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
31
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3509
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link