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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
66
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
35
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2502
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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