RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
66
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
31
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2762
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link