RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
66
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
33
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3224
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-1600 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link