RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
66
Intorno -74% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
38
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2394
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link