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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
66
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.2
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
26
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
1970
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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