RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
66
Intorno -10% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
60
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2511
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link