RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
59
Intorno -84% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
32
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
3279
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link