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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
3639
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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