RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
3660
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link