Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 20.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,076.1 10.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

52 59

Intorno -13% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 6400

Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

741 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns