RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
59
Intorno -127% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
26
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2846
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link