RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
59
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
22
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
3182
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link