RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
59
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
2,076.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
47
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2201
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link