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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
59
Intorno -119% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
27
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2173
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
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