RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
59
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
40
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2495
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link