RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
2,076.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2014
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link