RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
59
Intorno -146% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
24
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2773
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link