RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
59
Intorno -119% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
27
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
3829
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link