RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
21.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
62
Intorno -107% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
1,658.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
30
Velocità di lettura, GB/s
4,216.7
21.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,658.4
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
688
3806
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link