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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
62
Intorno -182% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,658.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
22
Velocità di lettura, GB/s
4,216.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,658.4
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
688
3665
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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