RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
62
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,658.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
46
Velocità di lettura, GB/s
4,216.7
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,658.4
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
688
2481
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link