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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,013.5
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
68
Intorno -152% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
27
Velocità di lettura, GB/s
4,402.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,013.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
701
3495
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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