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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,013.5
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
68
Intorno -33% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
51
Velocità di lettura, GB/s
4,402.8
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,013.5
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
701
2805
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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