RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
44
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
31
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2316
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link